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迎接AI時代 三星今年要提高HBM晶片產量近三倍
2024/04/11
- 全球記憶體晶片製造商龍頭三星電子今年要提高高頻寬記憶體（HBM）晶片產量近三倍，以搶得AI記憶體晶片市場的領導地位。此外，現今引領HBM市場的SK海力士（SK Hynix）則宣布將斥資38.7億美元在美國印第安那州興建HBM封裝廠，預期 2028 年下半年開始營運。
- 在AI、HPC等最先進的處理器架構中，廣泛採用高頻寬記憶體 （High Bandwidth Memory，縮寫HBM）技術，如NVIDIA的H100/H200、B100/B200系列和AMD的MI300系列等產品。這是因為 AI 時代首重運算能力，而要提高算力，需要在數據的計算、傳輸與儲存等三個環節同時提升性能才有效。HBM是提升記憶體數據傳輸速率的最佳選擇，它通過3D來堆疊多個DRAM，將每個記憶體頻寬相加可達到1TB/s的超高速度，以滿足算力需求。新一代的HBM3e可進一步將頻寬提升至8Gbps，為2024-2025年新款AI加速晶片帶來更高的性能表現。
- 目前全球市場只有SK海力士、三星電子、美光科技這三家公司具備HBM生產能力。由於HBM單價較高、獲利豐厚，進而吸引廣大資本支出投資。據TrendForce預估，2024年底整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約為250K/m，佔總DRAM產能(約1,800K/m)約14%，2023年HBM產值佔整體DRAM產業約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%，年成長率以倍數增長。同時，HBM的發展也影響了ABF載板設計，AI晶片透過CoWos + 2.5D封裝技術將HBM與GPU封裝在一起，以堆高電晶體密度，對封裝載板而言，這將需要更大的載板面積與更多層數，來確保布線與互連能力，這都有利於提升產能利用率與產品單價。
