哈爾濱工業大學近日宣布，已成功研發13.5奈米極紫外光（EUV）光源技術，打破此領域由美國企業壟斷的局面，也為大陸的國產EUV曝光機製造點亮曙光。
     外媒引述Northcape Capital投資組合經理Theo Maas指出，中國大陸尚未取得技術性突破， 中芯國際雖在汽車產業和其他工業應用的成熟製程取得進展，但在7奈米以下先進製程晶片仍遠落後晶圓代工巨頭數年。
    新加坡畢盛資產管理（APS Asset Management）創辦人黃國輝對中芯國際抱持樂觀態度，認為其具備本土優勢，一旦中國大陸突破國產EUV曝光機技術，超越台積電的目標將不再遙不可及。
     據網易報導，哈工大攻克13.5奈米EUV光源技術，為大陸在該領域跨出關鍵一步。值得注意的是，哈工大採用粒子加速產生紫光，與ASML採用的美國光源技術和德國徠卡的透鏡技術不同，展現更具突破性的創新。 除了EUV光源技術，EUV曝光機的生產製造還包括物鏡系統、雙晶工作台和控制系統等關鍵技術。目前，哈工大已掌握7項曝光機核心技術，取得豐碩成果。

     中芯國際和華為等大陸企業已實現7奈米晶片生產，但要突破 3奈米等更先進製程，仍需仰賴EUV曝光機。哈工大的光源技術突破，雖僅是EUV設備自主化的第一步，未來有望為大陸的國產晶片發展注入希望。(新聞來源：中時新聞網)