離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備並稱晶片製造的“四大核心裝備”，是半導體量產過程中不可或缺的關鍵設備。本次高能氫離子注入機的成功研製，是核技術與半導體產業深度融合的標誌性成果，將顯著增強我國在功率半導體等關鍵領域的自主保障能力，並為推動能源轉型、助力“雙碳”目標及加快形成新質生產力提供重要的技術支撐。
        過去，大陸高能氫離子注入機完全依賴進口，因其研發難度大、技術壁壘高，長期成為制約大陸相關產業升級的瓶頸。大陸原子能科學研究院依託在核子物理加速器領域數十年的技術積澱，以串列加速器技術為核心，成功攻克了一系列技術難題，實現了從底層原理到整機集成的完全正向設計，徹底打破了國外在該領域長期的技術封鎖與市場壟斷。【來源：集微網】