艾司摩爾為全球唯一商業化生產極紫外光刻（EUV）設備的企業，EUV設備為製造先進運算晶片的關鍵工具，包括台積電、英特爾等晶片製造商均仰賴該設備進行高階製程生產。艾司摩爾負責EUV光源技術的首席技術專家普維斯（Michael Purvis）接受採訪時表示，此次技術突破非短時間內的實驗性展示，而是在符合客戶實際使用條件下，能穩定輸出1,000瓦功率的完整系統。

     此次對外揭露的技術進展，重點在於強化EUV設備中最具挑戰性的環節，即產生具備適當功率與特性的極紫外光，以支援大規模晶片量產。艾司摩爾研究人員已將EUV光源功率由600瓦提升至1,000瓦，功率提高的主要優勢在於可提升每小時晶片產量，降低單位晶片成本。

     晶片製程類似攝影曝光原理，EUV光照射塗有光阻劑的矽晶圓，在光化學反應下形成電路圖樣，當光源功率提升後，晶圓所需曝光時間得以縮短，進一步提高生產效率。

     負責NXE系列EUV設備的執行副總裁梵高（Teun van Gogh）指出，公司目標是在2030年前，使每台設備每小時可處理約330片矽晶圓，高於目前的220片。依晶片尺寸不同，每片晶圓可容納數十至數千顆晶片。

     此外，普維斯透露，公司已看見進一步提升至1,500瓦的明確技術路徑，且在原理上，並不存在達到2,000瓦水準之障礙，顯示未來仍具提升的空間。(新聞來源：工商時報)