9月20日，長鑫存儲在世界製造業大會上宣佈第五代DRAM技術平臺（G5平臺）實現量產。據瞭解，該平臺的工藝水準已可比肩行業頂尖量產工藝節點。
       依託四重曝光技術，G5平臺可把記憶體陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的記憶體量產平臺制程。通過變革工藝流程、採用新材料，存儲電容深寬比達45:1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平臺核心功能區高度縮小到6762納米。此外，G5微縮工藝還可以有效提高存儲晶片的密度，每片晶圓產出裸片數量較第四代平臺提升至少50%。
       此次大會上，長鑫存儲還同步展出了兩款基於G5平臺打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%。【來源：集微網】