新聞說明
        在多元終端應用強勁成長的帶動下，化合物半導體材料及關鍵零組件需求將顯著受惠，根據SEMI的預測，全球功率暨化合物半導體元件之晶圓廠設備支出將在2021 年大幅躍升59%。
影響分析
        隨著5G基礎建設的完備，預期所衍伸的應用將逐步增加，GaN（氮化鎵）因同時具有「高功率」以及「高頻」的特性，與矽（Si）相比，更能滿足高頻或高壓的應用場景，成為下世代半導體材料的熱門選項。舉例來說，若以Si製程的SiGe元件來設計毫米波基地台天線，因功率密度較低，往往需要超過1,000個單元的大型天線陣列，而GaN則可縮小至64個單元。
        嚴格來說台廠才剛進入量產階段，不過在可預見的未來，半導體產業的競爭預計將從現有以矽為主的邏輯IC產品，延伸至可在特殊環境當中使用的新興半導體元件技術。而相關技術的成熟對於這些高頻或高功率產品的發展除了有推波助瀾的效果外，亦將有助於電路板產業擴大此類型的應用之產值比重。

資料來源：工研院產科國際所

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