研究單位：國立台灣大學  材料科學與工程學系
指導教授：高振宏 教授
研究生：洪漢堂
研究主題：低應力無電鍍晶片堆疊之科技開發
研究摘要：
       利用無電鍍技術直接取代傳統銲錫，此接合技術成功結合了無電鍍技術與微流道技術，能夠確保製程低溫 (< 100 °C) 且不需加壓，目前研究成果顯示此技術能夠以無電鍍Ni-P接合上下晶片間距75 μm及接點間距100 μm的微接點，相關技術已發表於國際期刊並獲得台灣與美國專利各一。於博士班在學期間，洪同學更嘗試將此技術近一步往更小尺度之接點邁進，並進一步評估無電鍍Cu、無電鍍Au與無電鍍Pd的應用可行性。本技術若能順利完成，不僅可以解決產業界困擾已久的重大製程挑戰，還能將接點間距往更小的應用端邁進，促使電子產業的封裝技術邁向下一個里程碑。
研究獎助期間：2018.09-2021.09
研究獎助總額：NTD 1,380,000元整